电路的作用有一类是对电能进行传输 、 分配和 。
假定某元件是负载，如果根据设定的方向计算出来的电流为负值，则表示电流的参考方向和实际方向是 。
基尔霍夫电流定律可以扩展到分析 。
电压源和电流源的等效是对 而言的。对于电源内部，则是不等效的。
任何一个 ，都可以用一个电动势和一个内阻串联的电源来等效代替。
有一类电路的作用，是对电信号进行 。
如果根据设定的方向计算出来的电流为正值，则表示电流的 和 是同相的。
基尔霍夫定律包括 。
电路中个电阻可以连接成不同的形式，其中最常用的形式是 。
具有单一电磁特性的理想电路元件，组成的电路称为电路模型。
参考方向就是实际方向。
基尔霍夫电压定律指出，在任一瞬时，从回路中任一点出发，沿任一循行方向绕回路一周，则在这个方向上的电位降之和等于电位升之和。
支路电流法是分析电路的基本方法。它以支路电流为求解对象，直接应用基尔霍夫定律，分别对节点和回路列出所需要的方程组，然后解出各支路电流。
理想电压源和理想电流源之间可以等效变换。
在运用叠加原理的时候要注意，在求各分电流的代数和时，各支路中分电流的参考方向与原电路中对应支路电流的参考方向一致，则取负值；相反者，取正值。
一共4个作业，每个作业25分，总分100分。
一个电热器，接在10v的直流电源上，产生的功率为p。把它改接在正弦交流电源上，使其产生的功率为p/2，则正弦交流电源电压的最大值为 。
提高供电电路的功率因数，下列说确的是 。
电容元件的正弦交流电路中，电压有效值不变，频率增大时，电路中电流将 。
rlc串联电路在f0时发生谐振，当频率增加到2f0时，电路性质呈 。
表征正弦交流电振荡幅度的量是它的 。
表征正弦交流电随时间变化快慢程度的量是 。
正弦量的三要素是 。
在电压和电流一定的情况下，功率因数越低，无功功率比例越大，对电力系统运行越不利，它体现在两个方面，一方面 ；一方面 。
正弦交流电路中的单一参数包括 。
电感元件的正弦交流电路中，消耗的有功功率等于零。
因为正弦量可以用相量来表示，所以说相量就是正弦量。
电压三角形是相量图，阻抗三角形也是相量图。
正弦交流电路的视在功率等于有功功率和无功功率之和。
正弦交流电路的频率越高，阻抗越大；频率越低，阻抗越小。
三相对称电路是指 。
三相四线制供电线路，已知作星形联接的三相负载中u相为纯电阻，v相为纯电感，w相为纯电容，通过三相负载的电流均为10安培，则中线电流为 。
有“220v、100w”“220v、25w”白炽灯两盏，串联后接入220v交流电源，其亮度情况是 。
三相负载星形连接的时候，线电压等于 相电压，线电流等于相电流。
三相负载三角形连接的时候，线电流等于 相电流，线电压等于相电压。
三相正弦交流电动势， 相等，相位彼此相差120度，称为三相对称电动势。
对称三相电路中，负载有 ，也有 。
中线的作用就是使不对称y接负载的端电压保持对称。
负载作星形联接时，必有线电流等于相电流。
三相不对称负载越接近对称，中线上通过的电流就越小。
中线不允许断开。因此不能安装保险丝和开关，并且中线截面比火线粗。
共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。
在晶体三极管放大电路中，若静态工作点设置太低将产生( )。
某放大电路在负载开路时输出电压为3v，接人2kω的负载后,输出电压为1v,则该放大电路的输出电阻为( )。
晶体管三极管放大条件是（ ）。
设置静态工作点的目的（ ）。
晶体管可以把小电压放大成大电压。
发射极接入re电阻的目的是为了稳定静态工作点。
分压式偏置共发射极放大电路是能够稳定静态工作点的一种放大器。
射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。
放大电路的电压放大倍数au =－50，其中负号表示波形缩小。
共三道题，总分100分。
逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为
和逻辑式表示不同逻辑关系的逻辑式是
一个两输入端的门电路，当输入为1和0时，输出不是1的门是
组合电路的输出取决于
电路如下图所示，其逻辑功能为
组合逻辑电路在结构上
十进制数100对应的二进制数为
组合逻辑电路中的每一个门实际上都是一个存储单元。
逻辑函数可以简化为。
假设某工厂在计划期内要安排生产ⅰ、ⅱ两种产品，已知生产单位产品所需的设备台时及a、b两种原材料的消耗，如下表所示： 产品 ⅰ ⅱ 设备 1 2 10台时 原料a 4 0 20kg 原料b 0 4 16kg 利润 3元/件 5元/件 假设该工厂每生产一件产品ⅰ可获利3元，每生产一件产品ⅱ可获利5元。假设, 分别表示计划生产i,ii产品的数量，请问下列哪个线性规划模型是该问题的正确模型？
用单纯形法求得其最优解为？
请阐述物流的概念及其分类
请具体分析物流活动的内容，并在实际生产活动中找出对应的例子
设施、设施规划的含义及两者的区别是什么
设施规划和工厂设计有何异同
1、为什么设施选址意义重大
试搜集目前较为先进的设施选址方法，分析其适用范围
请列举出学校布置设计的主要原则
设施布局原则有哪几种，简述产品布置原则和工艺布置原则的区别
为什么设施规划要搜集产品和产量的相关信息，这些信息在设施规划中有什么作用
生产布置的形式有哪几种，各自的特点是什么
slp与craft之间的主要区别是什么
柔性生产布置的主要影响因素有哪些
柔性生产布置与成组原则布置的联系与区别是什么
设施布局原则有哪几种，简述产品布置原则和工艺布置原则的区别
述物料搬运系统的程序
当黑体的温度升高时，其峰值光谱辐射出射度所对应的波长的移动方向为（）
已知某he-ne激光器的输出功率为8mw，正常人眼的明视觉和暗视觉最大光谱光是效能分别为683lm/w和1725lm/w，人眼明视觉光谱光视效率为0.24，则该激光器发出的光通量为（）
用照度计测得某环境下的照度值为1000lx，该环境可能是（ ）
已知某辐射源发出的功率为1w，该波长对应的光谱光视效率为0.5，则该辐射源辐射的光通量为（ ）
为了描述显示器的每个局部面元在各个方向的辐射能力，最适合的辐射度量是（）
电磁波谱中可见光的波长范围为（ ）
100w标准钨丝灯在0.2sr范围内所发出的辐射通量为（）
光谱光视效率v(505nm)=0.40730，波长为505nm、1mw的辐射光，其光通量为（ ）
x射线的波长范围是（）
辐射强度的计量单位是（）
辐射亮度的计量单位是（）
某半导体激光器发出波长为642nm的激光束，其功率为100mw。当时求此光束的辐射通量是（）
某半导体激光器发出波长为642nm的激光束， 发出的光通量为10.928 lm， 光束直径为1.22mm，光出射度是（）
波长为532nm （v（0.532um）=0.88）的绿光固体激光器输出功率为15w，均匀的投射到的白色屏幕上。问屏幕上的光照度为（）
绿光固体激光器均匀的投射到白色屏幕上的光照度为，若屏幕的反射系数是0.9，则光出射度为（）
一支白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面2m的高处，用照度计测得正下方地面上的照度为30lx，该白炽灯的光通量（）
直径为3米的圆桌中心上方2米处吊一平均发光强度200cd的灯泡，求圆桌中心光照度为（）
直径为3米的圆桌中心上方2米处吊一平均发光强度200cd的灯泡，求圆桌边缘的光照度光照度为（）
下列选项中的参数与接收器有关的有（）
余弦辐射体的主要特性包括（）
光通量的单位是坎德拉。
辐射通量与光通量的单位是相同的。
朗伯辐射体的辐射出射度等于他的辐射亮度。
被照明物体表面的辐射照度和光源与物体表面的距离平方成反比。
辐射出射度me与辐射照度ee的定义式都是：某点处面元的辐通量除以改面元的面积da的商，所以这两个物理量是具有相同的概念。
发光方式主要有电致发光，光致发光，化学发光和热发光。
发光强度的单位是坎德拉（cd），其定义为：在给定方向上能发射的单色辐射源，在此方向上的辐强度为（1/683）w/sr，其发光强度定义为1cd。
在对具有一定量度和颜色的非黑体辐射体的温度标测中，亮温度与实际温度的偏差最小，色温度次之，辐射温度与实际温度的偏差最大。
在弱辐射作用的情况下，半导体的光电导效应与入射辐射通量的关系是线性的。
辐射度量是生理（或主观）的计量方法。
光度量是以人眼所能看见的光对大脑的程度来对光进行计算。
辐射度量是物理（或客观）的计量方法。
太赫兹波具有低能量性，对人体基本上没有什么副作用。
辐射出射度 me与辐射照度ee意义相同。
被光激发产生的电子溢出物质表面，形成真空中的电子的现象叫做（）
半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。
一个电阻值为1000欧姆的电阻，在室温下，工作带宽为1hz时，热噪声均方电压为（）
已知一束激光功率为30mw、波长为0.6328um，普朗克常数则该激光束的光子流速率n为（）
某半导体光电器件的长波限为13um，其杂质电离能为（）
已知甲、乙两厂生产的光电器件在色温2856k标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为，，则甲乙两厂中光电器件灵敏度比较结果正确的是（）
光电发射材料的光电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值的大小为（）
已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，则该材料的禁带宽度为（）
对于p型半导体来说，以下说确的是（）
有关半导体对光的吸收,下列说确的是（）
对于n型半导体来说，以下说确的是（）
一束功率为30mw、波长为0.6328um的激光束的光子流速率n为（）
某一金属光电发射体有2.5ev的逸出功，并且导带底在真空能级下位7.5ev，则产生光电效应的长波限（）
某型号硅apd光敏面直径为0.5mm，等效噪声功率为，电流灵敏度为77a/w，求该光电探测器的比探测率（）
探测器的，探测器光敏面积的直径为0.5cm，用于的光电仪器中，它能探测的最小辐射功率为（）
温度为300k时的电阻工作在100hz带宽内产生的均方噪声电流为（）
温度为300k时的电阻工作在100hz带宽内产生的均方噪声电压为（）
已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，该材料的禁带宽度为（）
光电发射材料的光电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值为（）
已知本征硅材料的禁带宽度，半导体材料的本征吸收长波限为（）
温度为300k的本征硅半导体掺入的砷原子，计算掺杂后硅半导体电子浓度为（）
温度为300k的本征硅半导体掺入的砷原子，计算掺杂后硅半导体空穴的浓度为（）
温度为300k的本征硅半导体载流子浓度为，禁带宽度为1.12ev，计算掺入硼原子后硅中电子浓度为（）
温度为300k的本征硅半导体载流子浓度为，禁带宽度为1.12ev，计算掺入硼原子后硅中空穴浓度为（）
光电探测器中的噪声主要包括（）
光电技术中应用的半导体对光的吸收主要是（）
比探测率是一个与工作频率、测量带宽无关的常数。
探测率是一个反映探测器探测能力的物理量，探测率越大，说明探测器的探测能力越强。
噪声等效功率是信噪比为1时，入射到探测器上的信号辐射通量。
1/f噪声是一种低频噪声，几乎所有探测器中都存在这种噪声。
量子效率是在特定波长下单位时间内产生的平均光电子数与入射光子数之比。
若金属溢出功为w，则长波限为1.24/w(nm)。
波长长于本征吸收的光波长波限的入射辐射能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。
杂质吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限。
可以引起光电效应的光吸收包括本征吸收，杂质吸收，激子吸收，自由载流子吸收和晶格吸收。
光生伏特效应能将光能转换成电能。
外光电效应是半导体光电器件、真空光电倍增管、摄像管、变像管和像增强器的核心技术。
热噪声存在于任何导体与半导体中，它属于白噪声。
1/f噪声通常又称为电流噪声（有时也称为闪烁噪声或过剩噪声）。它是一种低频噪声，几乎所有探测器中都存在这种噪声。
在实际使用中，常用较低的调制频率可避免或大大减小电流噪声的影响。
低压汞灯光谱为（）
高压钠灯光谱为（）
白炽灯光谱为（ ）
荧光灯光谱为（ ）
某光源的发光效率为90~100lm/w，该光源可能是（ ）
连续波半导体激光器输出功率约为（ ）
黑体是指（ ）
普通荧光灯的发光效率约为（）lm/w
led的响应时间大约是（）数量
常用的激光器有（）
按发光机理分类，常用光源有
光源的光谱功率分布通常可以分为（）
光电探测系统对光源选择的主要要求有（ ）
发光效率是光源发射的光通量与所需的电功率之比。
gaas的开启电压约为1v。
物体温度升高时，辐射峰值波长向长波方向移动。
氮化物蓝或紫led的管芯中加上三基色荧光粉可激发出白光，成为白光led。
超高亮度led是指辐射功率高，法向发光强度在1000mcd以上的led，光效可以达到50~100lm/w。
发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度eg无关。
led发出的光是基于受激辐射，发出的是相干光。
普通钨丝灯的发光效率约为8~18lm/w。
led的寿命通常小于小时。
通常利用半导体激光器（ld）和发光二极管伏安特性和响应时间特性对光源进行直接调制。
若辐射源辐射光的颜色与黑体在某一温度下辐射光的颜色相同，则黑体的这一温度称为该辐射源的色温。
白炽灯发的光基本是连续光谱，造价低，发光效率高。
发光二极管的外发光效率随温度的上升而上升。
发光二极管发光时，pn通常工作在反向工作状态。
请结合疫情期间的实际需求（如媒体信息获取、防疫知识、家庭游戏、在线教育等），根据自己的兴趣、特长，选定一个概念设计（软件、硬件均可），并结合课程所学的知识撰写相应的设计提案书（不少于1000字，可绘图）。60分
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